onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 1,4 W, 8-Pin ECH

RS Best.-Nr.:: 163-2131
Herst. Teile-Nr.:: ECH8663R-TL-H
Hersteller:: onsemi

onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 1,4 W, 8-Pin ECH

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RS Best.-Nr.:: 163-2131
Herst. Teile-Nr.:: ECH8663R-TL-H
Hersteller:: onsemi

0.100" x 0.100" Latch / Ejector Header
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	8 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	ECH
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	28 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.3V
Verlustleistung max.	1,4 W
Transistor-Konfiguration	Gemeinsamer Drain
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	12,3 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Breite	2.3mm
Länge	2.9mm
Höhe	0.9mm

onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 8 A 1,4 W, 8-Pin ECH

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Dual-N-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor

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