IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 26 A 500 W, 3-Pin TO-3P

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

€ 160,20

(ohne MwSt.)

€ 192,30

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +€ 5,34€ 160,20

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
146-1754
Herst. Teile-Nr.:
IXFQ26N50P3
Hersteller:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

26A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Gehäusegröße

TO-3P

Serie

HiperFET, Polar3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

240mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.4V

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

20.3mm

Länge

15.8mm

Breite

4.9mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™


N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET-Transistoren, IXYS


Eine Reihe von fortschrittlichen diskreten Leistungs-MOSFET-Geräten von IXYS

Verwandte Links