Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

RS Best.-Nr.:: 145-9597
Herst. Teile-Nr.:: IRFR4620PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Herst. Teile-Nr.:: IRFR4620PBF
Hersteller:: Infineon

MOSFET N-ch HEXFET 200V 24A DPAK
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	24 A
Drain-Source-Spannung max.	200 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	78 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	144 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	6.73mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
Breite	6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.39mm

Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 144 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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