Infineon SIPMOS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 190 mA 1 W, 3-Pin SOT-89

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RS Best.-Nr.:
145-9451
Herst. Teile-Nr.:
BSS192PH6327FTSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

190mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-89

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

4.5mm

Breite

2.5 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs


Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.

· AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt)

· Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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