Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 38 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-8712
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA057N06N3GXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 145-8712
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA057N06N3GXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Breite | 4.85 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.15mm | ||
Breite 4.85 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 60 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 38 W maximale Verlustleistung - IPA057N06N3GXKSA1
Dieser MOSFET eignet sich für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen in der Automatisierung, Elektronik und in elektrischen Systemen. Er ist in der Lage, einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 60 A und eine Drain-Source-Spannung von 60 V zu bewältigen und spielt damit eine entscheidende Rolle bei der effizienten Energieverwaltung und -steuerung. Die robuste Konstruktion gewährleistet einen stabilen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen.
Eigenschaften und Vorteile
• N-Kanal-Konfiguration bietet effektive Schaltleistung
• Der Enhancement-Modus steigert die Effizienz der Anwendungen
• Niedriger RDS(on)-Wert von 5,7mΩ reduziert Leistungsverluste
• Maximale Verlustleistung von 38 W unterstützt hohe Leistung
• Arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C in verschiedenen Umgebungen
• Hohe Gate-Schwellenspannung von 4 V gewährleistet präzise Steuerung und Ansprechverhalten
Anwendungsbereich
• Anwendbar in der Motorsteuerung für die industrielle Automatisierung
• Geeignet für Stromversorgungsmodule in der Elektronik
• Häufig verwendet in Wechselrichterschaltungen für erneuerbare Energiesysteme
• Beschäftigt in der Automobilindustrie für ein effektives Energiemanagement
• Ideal für Schaltnetzteile in der Telekommunikation
Wie hoch ist die maximale Verlustleistung?
Er kann eine maximale Verlustleistung von 38 W bewältigen, was einen sicheren Betrieb gewährleistet.
In welchem Temperaturbereich kann es effektiv arbeiten?
Das Bauteil funktioniert zuverlässig zwischen -55°C und +175°C und ist damit vielseitig einsetzbar.
Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on)-Wert?
Ein niedriger RDS(on)-Wert von 5,7mΩ minimiert die Leistungsverluste während des Betriebs und erhöht die Effizienz.
Wie trägt der Erweiterungsmodus zu seiner Leistung bei?
Der Erweiterungsmodus ermöglicht eine verbesserte Steuerung und Effizienz, insbesondere bei Anwendungen, die ein präzises Schalten erfordern.
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