Infineon OptiMOS 2 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 69 A 125 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
145-8707
Herst. Teile-Nr.:
IPP12CN10LGXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

69A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS 2

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.36mm

Höhe

15.95mm

Breite

4.57mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Leistungs-MOSFET-Familie Infineon OptiMOS™2


Die Infineon-OptiMOS™-2-N-Kanalproduktfamilie bietet den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand innerhalb ihrer Spannungsgruppe. Die Power MOSFET-Serien können in vielen Anwendungen verwendet werden, etwa Hochfrequenztelekommunikation, Datenkommunikation, Solarbereich, Niederspannungsantriebe sowie Servernetzteile. Die OptiMOS 2-Produktfamilie ist ab 20 V erhältlich und bietet eine Auswahl von verschiedenen Gehäusearten.

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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