onsemi Einfach N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 200 V Erweiterung / 18 A 110 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-5670
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL640A
- Hersteller:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 145-5670
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL640A
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 200 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 18 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 110 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Höhe | 16.3 mm | |
| Länge | 10.67 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 180 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V, -20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 200 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 18 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 110 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Höhe 16.3 mm | ||
Länge 10.67 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 180 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V, -20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 4.7 mm | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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