onsemi MTP3055VL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 48 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 145-5555
- Herst. Teile-Nr.:
- MTP3055VL
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
€ 43,70
(ohne MwSt.)
€ 52,45
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 800 Einheit(en) mit Versand ab 26. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,874 | € 43,70 |
| 100 + | € 0,821 | € 41,05 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 145-5555
- Herst. Teile-Nr.:
- MTP3055VL
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | MTP3055VL | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.51mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie MTP3055VL | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.51mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi MTP3055VL Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi UniFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Vishay IRLI Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi NTD3055L104 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi NTD3055-094 Typ N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-220