Microchip Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 240 V / 190 mA 1 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 144-5876
- Herst. Teile-Nr.:
- VN2410L-G
- Hersteller:
- Microchip
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- Microchip
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 240V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Länge | 5.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.19 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 240V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.33mm | ||
Länge 5.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.19 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
MOSFET-Transistoren Supertex mit N-Kanal-Anreicherungsmodus
Die DMOS-FET-Transistoren der Supertex mit N-Kanal-Anreicherungsmodus (Einschalter) von Microchip sind für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen geeignet, die eine niedrige Schwellenspannung, eine hohe Durchschlagsspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und hohe Schaltgeschwindigkeiten erfordern.
MOSFET-Transistoren, Microchip
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