ROHM BSM N-Kanal 2, SMD SiC-Leistungsmodul 1.2 kV Erweiterung / 180 A 880 W, 4-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 144-2259
- Herst. Teile-Nr.:
- BSM180D12P3C007
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | BSM | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 880W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 45.6mm | |
| Höhe | 17mm | |
| Länge | 122mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie BSM | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 880W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 45.6mm | ||
Höhe 17mm | ||
Länge 122mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
- Ursprungsland:
- JP
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
Half-Bridge configuration
Low Surge Current
Low Power Switching Losses
High-Speed Switching
Low Operating Temperature
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Note
BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.
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