ROHM RQ5H020SP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 45 V / 2 A 1 W, 3-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
133-3302
Herst. Teile-Nr.:
RQ5H020SPTL
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

45V

Serie

RQ5H020SP

Gehäusegröße

TSMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

280mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.5nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.95mm

Breite

1.8 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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