ROHM RQ5E035BN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.5 A 1 W, 3-Pin TSMT

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RS Best.-Nr.:
133-3300
Herst. Teile-Nr.:
RQ5E035BNTCL
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TSMT

Serie

RQ5E035BN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

56mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.95mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.8 mm

Länge

3mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM


MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor


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