ROHM RQ3G100GN Typ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 27 A 15 W, 8-Pin HSMT
- RS Best.-Nr.:
- 133-3295
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3G100GNTB
- Hersteller:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3G100GNTB
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- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | RQ3G100GN | |
| Gehäusegröße | HSMT | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 15W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie RQ3G100GN | ||
Gehäusegröße HSMT | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 15W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.85mm | ||
- Ursprungsland:
- JP