ROHM N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 40 W, 8-Pin HSMT
- RS Best.-Nr.:
- 780-679
- Herst. Teile-Nr.:
- RQ3L120BLFRATCB
- Hersteller:
- ROHM
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 780-679
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- RQ3L120BLFRATCB
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | HSMT | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Breite | 3.1mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße HSMT | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Breite 3.1mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Power-MOSFET von ROHM bietet leistungsstarkes N-Kanal-Schalten für das Energiemanagement im Automobilbereich. Dieses AEC-Q101-qualifizierte Gerät wurde für ADAS- und Karosseriekontrollsysteme entwickelt und gewährleistet einen effizienten Betrieb in anspruchsvollen Fahrzeugumgebungen bis zu 150 °C.
Drain-Quellenspannung von 60 V
Kontinuierlicher Ablassstrom von 12 A
Typischer Einschaltwiderstand von 35 mΩ bei 10 V
Geringe Gate-Ladung von 7,5 nC für schnelles Schalten