Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 171 A 517 W, 3-Pin TO-247AC

RS Best.-Nr.:: 124-9020
Herst. Teile-Nr.:: IRFP4568PBF
Hersteller:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 171 A 517 W, 3-Pin TO-247AC

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Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon

Motorsteuerungs-MOSFET

Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung.

Synchrongleichrichter-MOSFET

Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 171A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 517W maximale Verlustleistung - IRFP4568PBF

Dieser N-Kanal-MOSFET ist für hohe Effizienz und gleichbleibende Leistung in verschiedenen elektronischen Schaltungen ausgelegt. Seine robusten Eigenschaften eignen sich für Power-Management- und Schaltanwendungen. Das TO-247AC-Gehäuse ermöglicht ein effektives Wärmemanagement und vereinfacht die Installation in Durchgangsloch-Konfigurationen.

Eigenschaften und Vorteile

• Verbesserte Erholungseigenschaften der Body-Diode verbessern die Zuverlässigkeit
• Niedriger Einschaltwiderstand minimiert Leistungsverluste im Betrieb
• Die maximale Verlustleistung von 517 W eignet sich für Anwendungen mit hohem Leistungsbedarf.
• Der weite Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +175°C gewährleistet die Funktionalität in unterschiedlichen Umgebungen.
• Hervorragende Gate-Schwellenspannungen optimieren die Leistung bei Schaltvorgängen.
• Einzelne Transistorkonfiguration rationalisiert Schaltungsdesigns für einfache Anwendung

Anwendungsbereich

• Hocheffiziente Synchrongleichrichtung
• Unterbrechungsfreie Stromversorgungen für ein zuverlässiges Backup
• Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltkreise
• Geeignet für hart geschaltete und hochfrequente

Wie hoch ist der maximale Dauerstrom, den dieses Gerät aufnehmen kann?

Der Baustein unterstützt unter optimalen Bedingungen einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 171 A.

Wie geht das Gerät während des Betriebs mit der Wärme um?

Mit einer maximalen Verlustleistung von 517 W ist das Gerät in der Lage, die im Betrieb entstehende Wärme effektiv zu bewältigen.

Wie hoch sind die typischen Gebührenanforderungen?

Die typische Gate-Ladung beträgt etwa 151 nC bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V, was eine effiziente Schaltleistung gewährleistet.

Kann es extremen Temperaturschwankungen standhalten?

Ja, er arbeitet in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für verschiedene Umgebungsbedingungen geeignet.

Ist es für Anwendungen mit synchroner Gleichrichtung geeignet?

Ja, sein Design begünstigt einen hohen Wirkungsgrad, was ihn ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungsdesigns macht.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	171 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Gehäusegröße	TO-247AC
Serie	HEXFET
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	6 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	517 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-30 V, +30 V
Breite	5.31mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	151 nC @ 10 V
Länge	15.87mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	20.7mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V