Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 75 V / 350 A 520 W, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:
688-7002
Herst. Teile-Nr.:
IRFP4368PBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-247AC

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.85mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Maximale Verlustleistung Pd

520W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

20.7mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.31 mm

Länge

15.87mm

Automobilstandard

Nein

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