Infineon CoolMOS CFD Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 43 A 391 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 124-8815
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R080CFDAFKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 124-8815
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R080CFDAFKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS CFD | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 391W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 167nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS CFD | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 391W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 167nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
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