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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
ROHM RK7002BM N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 250 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
RS Best.-Nr.:
124-6790
Herst. Teile-Nr.:
RK7002BMT116
Hersteller:
ROHM
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RS Best.-Nr.:
124-6790
Herst. Teile-Nr.:
RK7002BMT116
Hersteller:
ROHM
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Technische Daten des gezeigten Artikels
RK7002BM, N-Channel Small Signal MOSFET (60V 250mA)
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Konformitätserklärung
N-Kanal-MOSFET-Transistoren, ROHM
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
250 mA
Drain-Source-Spannung max.
60 V
Serie
RK7002BM
Gehäusegröße
SOT-23
Montage-Typ
SMD
Pinanzahl
3
Drain-Source-Widerstand max.
12 Ω
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
2.3V
Gate-Schwellenspannung min.
1V
Verlustleistung max.
350 mW
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Länge
3.1mm
Breite
1.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1.15mm
Diodendurchschlagsspannung
1.2V
Betriebstemperatur min.
–55 °C
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