onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 75 V / 100 A 90 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 124-5430
- Herst. Teile-Nr.:
- SMP3003-DL-1E
- Hersteller:
- onsemi
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|---|---|---|
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- Herst. Teile-Nr.:
- SMP3003-DL-1E
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- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 75 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 11 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.6V | |
| Verlustleistung max. | 90 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 280 nC @ 10 V | |
| Länge | 10mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 9.2mm | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 75 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 11 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.6V | ||
Verlustleistung max. 90 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 280 nC @ 10 V | ||
Länge 10mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 9.2mm | ||
Höhe 4.5mm | ||
- Ursprungsland:
- KR
P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor