STMicroelectronics MDmesh DM2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 90 W, 3-Pin TO-263

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111-6459
Herst. Teile-Nr.:
STB18N60DM2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

MDmesh DM2

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

290mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

90W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.6mm

Länge

9.35mm

Breite

10.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics


Die MOSFETs der Serie MDmesh DM2 bieten einen niedrigen RDS(on), und mit der verbesserten Sperrerholungszeit für eine hohe Effizienz wurde diese Serie über phasenverschobene Vollbrücken-ZVS-Topologien optimiert.

Hohe dV/dt-Fähigkeit für verbesserte Systemzuverlässigkeit

AEC-Q101-qualifiziert

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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