Microchip Halbbrücke Phase Leg SiC MOSFET N-Kanal, Direktmontage MOSFET-Module 1200 V Erweiterung / 266 A 766 W
- RS Best.-Nr.:
- 931-018
- Herst. Teile-Nr.:
- MSCSMC120AM04TBZ2AEG
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET-Module | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 266A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | Phase Leg SiC MOSFET | |
| Montageart | Direktmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 726nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 766W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4.7V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Halbbrücke | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET-Module | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 266A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie Phase Leg SiC MOSFET | ||
Montageart Direktmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 726nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 766W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 4.7V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Halbbrücke | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Advanced-Leistungsmodul von Microchip bietet eine hocheffiziente Phase-Leg-Lösung, die speziell für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt wurde, bei denen Zuverlässigkeit und Leistung entscheidend sind.
Nutzt die Siliziumkarbid-Technologie zur Reduzierung von Energieverlusten
Geringe R-Drift über die Temperatur, was einen stabilen Betrieb gewährleistet
Verfügt über einen internen Thermistor für präzise Temperaturüberwachung
Hervorragende Leistung in Hochfrequenzumgebungen