Vishay SQ P-Kanal, SMD MOSFET P -60 V / -20 A 46 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 878-892
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD19P06-60L_NE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
€ 1,48
(ohne MwSt.)
€ 1,78
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 18. Jänner 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,48 |
| 10 - 24 | € 0,96 |
| 25 - 99 | € 0,56 |
| 100 - 499 | € 0,55 |
| 500 + | € 0,54 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 878-892
- Herst. Teile-Nr.:
- SQD19P06-60L_NE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -60V | |
| Serie | SQ | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.1Ω | |
| Channel-Modus | P | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.22mm | |
| Breite | 6.73mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -60V | ||
Serie SQ | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω | ||
Channel-Modus P | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.22mm | ||
Breite 6.73mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- GB
Der fortschrittliche P-Kanal-MOSFET von Vishay für die Automobilindustrie wurde für hohe Leistung in Automobilanwendungen entwickelt und bietet Zuverlässigkeit und Effizienz unter extremen Bedingungen.
Halogenfrei und konform mit der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
AEC-Q101-qualifiziert für verbesserte Zuverlässigkeit im Automobilbereich
Drain-Source-Durchbruchspannung von -60 V für robusten Betrieb
Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 20 A gewährleistet eine effektive Leistungsaufnahme