Microchip APT N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 600 V / 120 A 416 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 862-370
- Herst. Teile-Nr.:
- APT100N60BC7
- Hersteller:
- Microchip
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | APT | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 226nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 40.5mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 3-Compliant | |
| Breite | 15.75mm | |
| Länge | 20.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie APT | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 226nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 40.5mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 3-Compliant | ||
Breite 15.75mm | ||
Länge 20.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Superjunction MOSFET von Microchip bietet ein effizientes Energiemanagement für Hochspannungsanwendungen. Es bietet einen zuverlässigen und robusten Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen und gewährleistet eine optimale Leistung in elektrischen Systemen.
Niedriger Einschaltwiderstand minimiert Leitungsverluste
Ultraschnelle Rückwärtswiederherstellung reduziert Schaltverluste
Geringe Gate-Ladung gewährleistet zuverlässigen Betrieb bei hohen Frequenzen
Avalanche-zertifiziert für überlegene Robustheit bei harter Kommutierung
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