Microchip APT N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 600 V / 120 A 416 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 862-370
- Herst. Teile-Nr.:
- APT100N60BC7
- Hersteller:
- Microchip
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 31,56
(ohne MwSt.)
€ 37,87
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 28. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 31,56 |
| 10 - 24 | € 30,77 |
| 25 + | € 29,99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 862-370
- Herst. Teile-Nr.:
- APT100N60BC7
- Hersteller:
- Microchip
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | APT | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 226nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 3-Compliant | |
| Länge | 20.15mm | |
| Breite | 15.75mm | |
| Höhe | 40.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie APT | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18Ω | ||
Channel-Modus Erweiterungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 226nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 3-Compliant | ||
Länge 20.15mm | ||
Breite 15.75mm | ||
Höhe 40.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Superjunction MOSFET von Microchip bietet ein effizientes Energiemanagement für Hochspannungsanwendungen. Es bietet einen zuverlässigen und robusten Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen und gewährleistet eine optimale Leistung in elektrischen Systemen.
Niedriger Einschaltwiderstand minimiert Leitungsverluste
Ultraschnelle Rückwärtswiederherstellung reduziert Schaltverluste
Geringe Gate-Ladung gewährleistet zuverlässigen Betrieb bei hohen Frequenzen
Avalanche-zertifiziert für überlegene Robustheit bei harter Kommutierung
Verwandte Links
- Microchip APT N-Kanal 3-Pin TO-247
- Microchip VN2210 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1
- Microchip TP5322 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1
- Microchip VN0606 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1
- Microchip VN1206 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1
- Microchip TN5325 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 40 V / 450 mA 1
- Microchip VN0109 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1
- Microchip VN2460 N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 90 V / 350 mA 1