Vishay MXP120A N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 61 A 109 W, 4-Pin TO-247AD
- RS Best.-Nr.:
- 847-941
- Herst. Teile-Nr.:
- MXP120A250SE-T1GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt sichern
10 weitere Einheiten hinzufügen, um € 23,90 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 6,30
(ohne MwSt.)
€ 7,56
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 31. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 9 | € 6,30 | - |
| 10 - 49 | € 3,91 | € 23,90 |
| 50 - 99 | € 2,36 | € 197,00 |
| 100 + | € 2,32 | € 398,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 847-941
- Herst. Teile-Nr.:
- MXP120A250SE-T1GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 61A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | MXP120A | |
| Gehäusegröße | TO-247AD | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 109W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Länge | 23.6mm | |
| Breite | 16.13mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 61A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie MXP120A | ||
Gehäusegröße TO-247AD | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 109W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 5.21mm | ||
Länge 23.6mm | ||
Breite 16.13mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Die N-Kanal-MOSFETs von Vishay sind für effiziente Schaltanwendungen ausgelegt und gewährleisten einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit verbessert die Systemeffizienz
Kurzschlussfestigkeit von 2.5 μs erhöht die Zuverlässigkeit des Geräts
Maximale Verlustleistung von 85 W unterstützt Hochleistungsanwendungen
Die Drain-Source-Spannungskapazität von 1200 V sorgt für einen robusten Betrieb