onsemi Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 70 A 150 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
841-312
Herst. Teile-Nr.:
RFP70N06
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

120nC

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4.83 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.4mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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