Infineon CoolGaN N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 650 V / 30 A 55 W, 9-Pin PG-HDSOP-16
- RS Best.-Nr.:
- 762-901
- Herst. Teile-Nr.:
- IGLT65R110B2AUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolGaN | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 140mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -10V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.61nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 55W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 10.1mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Länge | 10.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolGaN | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 140mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -10V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.61nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 55W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 10.1mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 2.35mm | ||
Länge 10.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der bidirektionale CoolGaN-Schalter (BDS) von Infineon nutzt die Galliumnitrid-Technologie, um eine effiziente Spannungsblockade in beide Richtungen zu ermöglichen. Es integriert die Substratspannungssteuerung und vereinfacht das Design für verschiedene industrielle Anwendungen. Das Modell IGLT65R110B2 ist in einem TOLT-Gehäuse untergebracht, das für eine hohe Leistungsdichte optimiert ist.
Optimiert für sanfte Schaltvorgänge
Dual-Gate für unabhängige bidirektionale Funktionalität
Hervorragende Leistung
Vielseitig einsetzbar für vielfältige industrielle Anwendungen
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