Infineon CoolGaN N-Kanal, SMD Leistungs-Transistor Erweiterung 650 V / 30 A 55 W, 9-Pin PG-HDSOP-16

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RS Best.-Nr.:
762-901
Herst. Teile-Nr.:
IGLT65R110B2AUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

CoolGaN

Gehäusegröße

PG-HDSOP-16

Montageart

SMD

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

140mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-10V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

55W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.61nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

10.1mm

Länge

10.3mm

Höhe

2.35mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der bidirektionale CoolGaN-Schalter (BDS) von Infineon nutzt die Galliumnitrid-Technologie, um eine effiziente Spannungsblockade in beide Richtungen zu ermöglichen. Es integriert die Substratspannungssteuerung und vereinfacht das Design für verschiedene industrielle Anwendungen. Das Modell IGLT65R110B2 ist in einem TOLT-Gehäuse untergebracht, das für eine hohe Leistungsdichte optimiert ist.

Optimiert für sanfte Schaltvorgänge

Dual-Gate für unabhängige bidirektionale Funktionalität

Hervorragende Leistung

Vielseitig einsetzbar für vielfältige industrielle Anwendungen

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