Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 222 A 300 W, 10-Pin PowerPack

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RS Best.-Nr.:
735-244
Herst. Teile-Nr.:
SQJ182ER-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

222A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPack

Montageart

SMD

Pinanzahl

10

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0061Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

93nC

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

5.3 mm

Länge

7.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

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