DiodesZetex DMP10H4D2S P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -100 V / -0.27 A 0.44 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 719-513
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP10H4D2S-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -0.27A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -100V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMP10H4D2S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.44W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Breite | 2.55mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -0.27A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -100V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMP10H4D2S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.44W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1.15mm | ||
Breite 2.55mm | ||
Automobilstandard AEC-Q | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex P-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET wurde für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen entwickelt. Er zeichnet sich durch die Minimierung des Widerstands im eingeschalteten Zustand aus und bietet gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung, womit er sich für eine Reihe von Anwendungen einschließlich Kfz-Systemen und batteriebetriebenen Geräten eignet. Mit seinem kleinen SMD-Gehäuse und seinen robusten Eigenschaften unterstützt es den effizienten Betrieb in verschiedenen elektronischen Konfigurationen und sorgt für zuverlässige Funktionalität auch in anspruchsvollen Umgebungen.
Niedrige Gate-Schwellenspannung ermöglicht eine effiziente Steuerung für das Strommanagement
Geringe Eingangskapazität ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten, optimiert die Leistung
ESD-geschützt bis 2 kV erhöht die Gerätesicherheit unter Stressbedingungen
Bleifrei und RoHS-konform, um Umweltsicherheit und -konformität zu gewährleisten
Qualifiziert nach JEDEC-Standards, was eine hohe Zuverlässigkeit für Kfz-Anwendungen demonstriert
Feuchtigkeitsempfindlichkeit Stufe 1, bietet Robustheit bei Handhabung und Montage
Niedrige Einschaltwiderstandswerte bei bestimmten Gate-Source-Spannungen tragen zur Energieeffizienz bei
Ideal für Kfz-konforme Anwendungen, um seine vielseitige Funktionalität zu verstärken
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