DiodesZetex DMP10H4D2S P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -100 V / -0.27 A 0.44 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
719-513
Herst. Teile-Nr.:
DMP10H4D2S-7
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

P-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-0.27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-100V

Serie

DMP10H4D2S

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

0.44W

Betriebstemperatur min.

-50°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3mm

Höhe

1.15mm

Breite

2.55mm

Automobilstandard

AEC-Q

Ursprungsland:
CN
Der DiodesZetex P-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET wurde für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen entwickelt. Er zeichnet sich durch die Minimierung des Widerstands im eingeschalteten Zustand aus und bietet gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung, womit er sich für eine Reihe von Anwendungen einschließlich Kfz-Systemen und batteriebetriebenen Geräten eignet. Mit seinem kleinen SMD-Gehäuse und seinen robusten Eigenschaften unterstützt es den effizienten Betrieb in verschiedenen elektronischen Konfigurationen und sorgt für zuverlässige Funktionalität auch in anspruchsvollen Umgebungen.

Niedrige Gate-Schwellenspannung ermöglicht eine effiziente Steuerung für das Strommanagement

Geringe Eingangskapazität ermöglicht schnellere Schaltgeschwindigkeiten, optimiert die Leistung

ESD-geschützt bis 2 kV erhöht die Gerätesicherheit unter Stressbedingungen

Bleifrei und RoHS-konform, um Umweltsicherheit und -konformität zu gewährleisten

Qualifiziert nach JEDEC-Standards, was eine hohe Zuverlässigkeit für Kfz-Anwendungen demonstriert

Feuchtigkeitsempfindlichkeit Stufe 1, bietet Robustheit bei Handhabung und Montage

Niedrige Einschaltwiderstandswerte bei bestimmten Gate-Source-Spannungen tragen zur Energieeffizienz bei

Ideal für Kfz-konforme Anwendungen, um seine vielseitige Funktionalität zu verstärken

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