DiodesZetex DMG2302UKQ N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 20 V / 2.8 A 1.1 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 719-562
- Herst. Teile-Nr.:
- DMG2302UKQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMG2302UKQ-7
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | DMG2302UKQ | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 120mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -50°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie DMG2302UKQ | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 120mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -50°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der DiodesZetex N-Kanal-Enhancement-Modus-MOSFET, speziell entwickelt, um die anspruchsvollen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Entwickelt für überlegenen Wirkungsgrad, zeichnet er sich durch Leistungsmanagement- und Steuerungsfunktionen aus, womit er eine ideale Wahl für Aufgaben wie DC/DC-Umwandlung und Motormanagement ist. Mit seiner robusten Bauweise und der Einhaltung der AEC-Q101-Standards ist dieses Gerät für seine Zuverlässigkeit und hohe Leistung in kritischen Umgebungen bekannt. Das Produkt kombiniert einen niedrigen Einschaltwiderstand mit schnellen Schaltfunktionen, um einen effizienten Betrieb unter verschiedenen Bedingungen zu gewährleisten.
Niedrige Widerstandsmerkmale verbessern die Effizienz
Schnelle Schaltgeschwindigkeit optimiert die Leistung für Hochfrequenzanwendungen
Qualifiziert nach AEC-Q101-Standards, sorgt für Zuverlässigkeit in Kfz-Anwendungen
Qualifiziert für PPAP, unterstützt Advanced Product Quality Planning
ESD-geschützte Gate-Design verbessert Robustheit und Sicherheit
Halogen- und antimonfrei, was zu umweltfreundlichen Praktiken beiträgt
Entwickelt mit niedriger Eingangskapazität für verbesserte Reaktionsfähigkeit
Konform mit RoHS-Standards, um die Einhaltung von Umweltvorschriften zu gewährleisten
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