Vishay SIR5812DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 45.3 A 50 W, 8-Pin PowerPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

€ 0,58

(ohne MwSt.)

€ 0,70

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 6 000 Einheit(en) mit Versand ab 02. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 24€ 0,58
25 - 99€ 0,56
100 - 499€ 0,55
500 - 999€ 0,47
1000 +€ 0,44

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
653-198
Herst. Teile-Nr.:
SIR5812DP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

45.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SIR5812DP

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0135Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.04mm

Länge

5.15mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.15 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay TrenchFET Gen V ist für eine Ablassquelle-Spannung von 80 V ausgelegt. Verpackt in einem PowerPAK SO-8, ist es ideal für DC/DC-Wandler, synchrone Gleichrichtung, Motorsteuerung und Hot-Swap-Schaltung.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

Verwandte Links