Vishay SIRA12DDP N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 30 V / 81 A 38 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 653-145
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA12DDP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- SIRA12DDP-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 81A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | SIRA12DDP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0036Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.15mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Breite | 6.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 81A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie SIRA12DDP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0036Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.15mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Breite 6.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- TH
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für ein hocheffizientes Schalten in kompakten Stromversorgungssystemen optimiert. Er unterstützt eine Ablass-Quellenspannung von bis zu 30 V. Verpackt in PowerPAK SO-8, nutzt es die TrenchFET Gen IV-Technologie, um ultraniedrige RDS(on), schnelles Schalten und ausgezeichnete thermische Leistung zu liefern.
Bleifrei
Halogenfrei
RoHS-Konformität
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