Vishay SIS5712DN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 18 A 39.1 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-113
Herst. Teile-Nr.:
SIS5712DN-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SIS5712DN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0555Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.8nC

Maximale Verlustleistung Pd

39.1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Lead (Pb)-Free

Höhe

1.04mm

Länge

3.30mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für das hocheffiziente Schalten in Systemen mit hoher Leistungsdichte entwickelt. Er unterstützt bis zu 150 V Ablassquelle-Spannung. Verpackt in PowerPAK 1212-8, nutzt es die TrenchFET Gen V-Technologie, um niedrige RDS(on), reduzierte Gate-Ladung und ausgezeichnete thermische Leistung zu liefern.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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