Vishay SIRS5702DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 119 A 245 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-130
Herst. Teile-Nr.:
SIRS5702DP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

119A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SIRS5702DP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0072Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

245W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

44nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.10 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.95mm

Länge

6.10mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für das hocheffiziente Schalten in Systemen mit hoher Leistungsdichte entwickelt. Er unterstützt bis zu 150 V Ablassquelle-Spannung. Verpackt in PowerPAK SO-8S, nutzt es die TrenchFET Gen V-Technologie, um ultraniedrige RDS(on), reduzierte Gate-Ladung und ausgezeichnete thermische Leistung zu liefern.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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