onsemi UF3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 1200 V / 7.6 A 100 W, 3-Pin TO-247-3
- RS Best.-Nr.:
- 648-529P
- Herst. Teile-Nr.:
- UF3C120400K3S
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | UF3 | |
| Gehäusegröße | TO-247-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 515mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.03mm | |
| Länge | 20.96mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie UF3 | ||
Gehäusegröße TO-247-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 515mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.03mm | ||
Länge 20.96mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CH
Die EliteSiC-Cascode-JFETs von ON Semiconductor kombinieren einen normal eingeschalteten SiC-JFET mit einem Si-MOSFET, um ein normal ausgeschaltes Gerät in einer Cascode-Schaltkreiskonfiguration zu erstellen, das überlegene Schaltleistung und Zuverlässigkeit bietet. Zu den Vorteilen gehören ein hoher Wirkungsgrad, eine schnellere Frequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und eine kleinere Systemgröße. Diese Geräte unterstützen Standard-Gate-Treiber, was den Austausch von Si-IGBTs und Super-Junction-Geräten vereinfacht. Ideal zum Schalten induktiver Lasten.
Ein-Widerstand RDS(ein)
Maximale Betriebstemperatur von 175 °C
Ausgezeichnete umgekehrte Wiederherstellung
Niedrige Gate-Ladung