onsemi UF3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 1200 V / 7.6 A 100 W, 3-Pin TO-247-3
- RS Best.-Nr.:
- 648-529
- Herst. Teile-Nr.:
- UF3C120400K3S
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247-3 | |
| Serie | UF3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 515mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 15.90 mm | |
| Höhe | 5.03mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-Free | |
| Länge | 20.96mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247-3 | ||
Serie UF3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 515mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 15.90 mm | ||
Höhe 5.03mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-Free | ||
Länge 20.96mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CH
Die EliteSiC-Cascode-JFETs von ON Semiconductor kombinieren einen normal eingeschalteten SiC-JFET mit einem Si-MOSFET, um ein normal ausgeschaltes Gerät in einer Cascode-Schaltkreiskonfiguration zu erstellen, das überlegene Schaltleistung und Zuverlässigkeit bietet. Zu den Vorteilen gehören ein hoher Wirkungsgrad, eine schnellere Frequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und eine kleinere Systemgröße. Diese Geräte unterstützen Standard-Gate-Treiber, was den Austausch von Si-IGBTs und Super-Junction-Geräten vereinfacht. Ideal zum Schalten induktiver Lasten.
Ein-Widerstand RDS(ein)
Maximale Betriebstemperatur von 175 °C
Ausgezeichnete umgekehrte Wiederherstellung
Niedrige Gate-Ladung
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