onsemi UF3 N-Kanal, Durchsteckmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 1.2 kV / 7.6 A 100 W, 3-Pin TO-247-3

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RS Best.-Nr.:
648-529
Herst. Teile-Nr.:
UF3C120400K3S
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Gehäusegröße

TO-247-3

Serie

UF3

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

515mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.03mm

Breite

15.9mm

Normen/Zulassungen

RoHS, Pb-Free

Länge

20.96mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CH
Die EliteSiC-Cascode-JFETs von ON Semiconductor kombinieren einen normal eingeschalteten SiC-JFET mit einem Si-MOSFET, um ein normal ausgeschaltes Gerät in einer Cascode-Schaltkreiskonfiguration zu erstellen, das überlegene Schaltleistung und Zuverlässigkeit bietet. Zu den Vorteilen gehören ein hoher Wirkungsgrad, eine schnellere Frequenz, eine erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und eine kleinere Systemgröße. Diese Geräte unterstützen Standard-Gate-Treiber, was den Austausch von Si-IGBTs und Super-Junction-Geräten vereinfacht. Ideal zum Schalten induktiver Lasten.

Ein-Widerstand RDS(ein)

Maximale Betriebstemperatur von 175 °C

Ausgezeichnete umgekehrte Wiederherstellung

Niedrige Gate-Ladung

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