ROHM RD3 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 53 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 646-544
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P04BBKHRBTL
- Hersteller:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 10 Stück)*
€ 7,64
(ohne MwSt.)
€ 9,17
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 90 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,764 | € 7,64 |
| 100 - 490 | € 0,672 | € 6,72 |
| 500 - 990 | € 0,604 | € 6,04 |
| 1000 + | € 0,478 | € 4,78 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 646-544
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P04BBKHRBTL
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | RD3 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.50mm | |
| Breite | 6.8 mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie RD3 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.50mm | ||
Breite 6.8 mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) von ROHM mit 100 Volt und 36 Ampere Leistung verfügt über eine bleifreie Beschichtung und erfüllt die Anforderungen an die Beschränkung gefährlicher Stoffe. Er ist zu hundert Prozent Avalanche-getestet
Geringer Durchlasswiderstand
AEC-Q101 qualifiziert