ROHM RD3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 142 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 265-415
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G08BBJHRBTL
- Hersteller:
- ROHM
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- RD3G08BBJHRBTL
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | RD3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 145nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 142W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie RD3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 145nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 142W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Automotive-MOSFET von ROHM ist AEC-Q101-qualifiziert und damit eine ausgezeichnete Wahl für Fahrerassistenzsysteme, Infotainment, Beleuchtung und Karosserieanwendungen. Sein robustes Design gewährleistet zuverlässige Leistung in kritischen Automobilumgebungen.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
100 Prozent lawinengeprüft
Geringer Widerstand