Microchip DN2450 N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 500 V / 350 mA 2.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 598-247
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2450N8-G
- Hersteller:
- Microchip
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
€ 2.270,00
(ohne MwSt.)
€ 2.724,00
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 2000 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 29. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | € 1,135 | € 2.270,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 598-247
- Herst. Teile-Nr.:
- DN2450N8-G
- Hersteller:
- Microchip
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal-DMOS-FET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Serie | DN2450 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Entleerungsmodus | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| Höhe | 2.29mm | |
| Breite | 3 mm | |
| Länge | 4.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal-DMOS-FET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-252 (D-PAK-3) | ||
Serie DN2450 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Entleerungsmodus | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
Höhe 2.29mm | ||
Breite 3 mm | ||
Länge 4.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Microchip-Transistoren mit niedrigem Schwellenwert für den Erschöpfungsmodus (normalerweise eingeschaltet) nutzen eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Diese Kombination produziert Geräte mit den Leistungsummantelungsfähigkeiten von bipolaren Transistoren und mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Geräten innewohnen. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen sind diese Geräte frei von thermischer Flucht und thermisch induziertem Sekundärbruch. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine eine sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
Verwandte Links
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin TO-252
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 5-Pin SOT-23-5
- Microchip N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal
- Microchip N-Kanal vertikaler DMOS-FET-Kanal
- Microchip VN0106 Typ N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip VN0104 N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip TN0106 N-Kanal 3-Pin TO-92
- Microchip Typ N-Kanal 3-Pin TO-252