Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Entleerungsmodus 500 V / 350 mA 2.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 598-171
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3765K4-G
- Hersteller:
- Microchip
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
€ 8.384,00
(ohne MwSt.)
€ 10.060,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | € 4,192 | € 8.384,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 598-171
- Herst. Teile-Nr.:
- DN3765K4-G
- Hersteller:
- Microchip
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal-DMOS-FET | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 350mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (D-PAK-3) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Entleerungsmodus | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.29mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, ISO/TS‑16949 | |
| Breite | 3 mm | |
| Länge | 4.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal-DMOS-FET | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 350mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-252 (D-PAK-3) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Entleerungsmodus | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.29mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, ISO/TS‑16949 | ||
Breite 3 mm | ||
Länge 4.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Depletion-Mode-Transistor von Microchip (normalerweise eingeschaltet) nutzt eine fortschrittliche vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Fertigungsprozess mit Silizium-Gate. Diese Kombination ergibt ein Bauelement mit der Leistungsbelastbarkeitt von Bipolartransistoren und der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten, die MOS-Bauelementen eigen sind. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von thermischem Durchgehen und thermisch induziertem Sekundärdurchbruch ist. Vertikale DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkungsanwendungen, bei denen eine hohe Durchbruchspannung, eine hohe Eingangsimpedanz, eine niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Geringer Widerstand
Keine sekundäre Durchschaltung
Geringe Eingangs- und Ausgangsleckage
Verwandte Links
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin DN2450N8-G
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin DN2535N5-G
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin DN2450K4-G
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin DN3545N8-G
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin DN3145N8-G
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin DN2530N8-G
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 3-Pin
- Microchip N-Kanal-DMOS-FET-Kanal 5-Pin LND250K1-G