Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 60 A 390 W, 3-Pin TO-220

Dieser MOSFET ist für Hochleistungsanwendungen in der Automatisierung und Elektronik konzipiert. Durch den Einsatz der fortschrittlichen HEXFET-Technologie gewährleistet er optimale Effizienz und Zuverlässigkeit in kritischen Umgebungen. Das Gerät zeichnet sich durch robuste Spezifikationen in Kombination mit einem benutzerfreundlichen Design aus und eignet sich daher für eine Reihe von industriellen Anwendungen. Sein effektiver Betrieb unter rauen Bedingungen entspricht den Anforderungen moderner elektronischer Systeme.

• N-Kanal-Konfiguration unterstützt effizienten Stromfluss

• Einsatz in Energierückgewinnungssystemen zur Steigerung der Effizienz

Das Gerät arbeitet effektiv zwischen -40°C und +175°C und kann somit unter verschiedenen Umgebungsbedingungen eingesetzt werden.

Mit einer Schwellenspannung zwischen 3V und 5V ermöglicht er eine präzise Steuerung in Schaltanwendungen.

Ja, das Design ermöglicht gepulste Ableitströme, die unter bestimmten Bedingungen 230 A betragen können, was für transiente Anwendungen von Vorteil ist.

Um eine optimale Leistung aufrechtzuerhalten, sollten angemessene Kühlmaßnahmen ergriffen werden, wobei eine maximale Verlustleistung von 390 W zu berücksichtigen ist.

Das TO-220AB-Gehäuse ermöglicht eine unkomplizierte Durchsteckmontage, was die Kompatibilität mit verschiedenen Schaltungsdesigns verbessert.