STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V Erweiterung / 55 A, 4-Pin

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RS Best.-Nr.:
482-971
Herst. Teile-Nr.:
SCT018W65G3-4AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Länge

15.9mm

Höhe

5.1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101 qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode

Sensor-Stift für erhöhte Effizienz

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