STMicroelectronics SCT N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 29 A 673 W, 4-Pin

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RS Best.-Nr.:
215-222
Herst. Teile-Nr.:
SCT015W120G3-4AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Serie

SCT

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

4.2V

Maximale Verlustleistung Pd

673W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

167nC

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der dritten Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

Äußerst geringe Gate-Ladung und Eingangskapazität

Sehr schnelle und robuste intrinsische Body-Diode

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