Infineon AIMZA75 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 163 A 517 W, 4-Pin PG-TO247-4

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 55,14

(ohne MwSt.)

€ 66,17

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 31. Mai 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 9€ 55,14
10 - 99€ 49,63
100 +€ 45,78

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
351-988
Herst. Teile-Nr.:
AIMZA75R008M1HXKSA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

163A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Serie

AIMZA75

Gehäusegröße

PG-TO247-4

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.0mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

5.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Maximale Verlustleistung Pd

517W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

21.1mm

Höhe

5.1mm

Normen/Zulassungen

AEC Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon CoolSiC Automotive MOSFET ist auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie aufgebaut. Er bietet einen Vorsprung in Bezug auf Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit sowie Flexibilität bei der Ansteuerung der Gates und ermöglicht ein vereinfachtes und kostengünstiges Systemdesign für höchste Effizienz und Leistungsdichte.

Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen

Ermöglicht höhere Schaltfrequenz

Höhere Zuverlässigkeit

Robustheit gegen parasitäre Einwirkungen

Unipolare Ansteuerung

Verwandte Links