Infineon AIMZA75 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 163 A 517 W, 4-Pin PG-TO247-4
- RS Best.-Nr.:
- 351-988
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMZA75R008M1HXKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 163A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Serie | AIMZA75 | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-4 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.0mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 178nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 517W | |
| Durchlassspannung Vf | 5.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 21.1mm | |
| Breite | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 163A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Serie AIMZA75 | ||
Gehäusegröße PG-TO247-4 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.0mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 178nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 517W | ||
Durchlassspannung Vf 5.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 21.1mm | ||
Breite 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen AEC Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon CoolSiC Automotive MOSFET ist auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie aufgebaut. Er bietet einen Vorsprung in Bezug auf Leistung, Zuverlässigkeit und Robustheit sowie Flexibilität bei der Ansteuerung der Gates und ermöglicht ein vereinfachtes und kostengünstiges Systemdesign für höchste Effizienz und Leistungsdichte.
Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen
Ermöglicht höhere Schaltfrequenz
Höhere Zuverlässigkeit
Robustheit gegen parasitäre Einwirkungen
Unipolare Ansteuerung
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