Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 750 V / 75 A 278 W, 4-Pin PG-TO247-4

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RS Best.-Nr.:
348-940
Herst. Teile-Nr.:
AIMZA75R020M1HXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Drain-Source-Spannung Vds max.

750V

Serie

CoolSiC

Gehäusegröße

PG-TO247-4

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

27mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

23 V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

67nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der Infineon 750 V CoolSiC MOSFET basiert auf der soliden Siliziumkarbid-Technologie, die Infineon in mehr als 20 Jahren entwickelt hat. Der 750V CoolSiC MOSFET nutzt die Eigenschaften des Wide BandgapSiC-Materials und bietet eine einzigartige Kombination aus Leistung, Zuverlässigkeit und Benutzerfreundlichkeit. Er eignet sich für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen und ermöglicht eine vereinfachte und kosteneffiziente Bereitstellung von Systemen mit höchster Effizienz.

Proprietäre Die-Attach-Technologie von Infineon

Treiberquellen-Pin verfügbar

Erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit für Busspannungen über 500 V

Hervorragende Effizienz bei harten Schaltvorgängen

Höhere Schaltfrequenz in weich schaltenden Topologien

Robustheit gegen parasitäres Einschalten bei unipolarer Gate-Ansteuerung

Geringere Schaltverluste durch verbesserte Gate-Steuerung

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