Infineon IMLT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 82 A, 16-Pin PG-HDSOP-16
- RS Best.-Nr.:
- 351-947
- Herst. Teile-Nr.:
- IMLT65R026M2HXTMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 82A | |
| Ausgangsleistung | 365W | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | IMLT65 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Länge | 10.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 82A | ||
Ausgangsleistung 365W | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-16 | ||
Serie IMLT65 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 16 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.35mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Länge 10.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der diskrete Infineon CoolSiC MOSFET der Generation 2 (G2) in TOLT nutzt die klassenbeste Schaltleistung des G2 und bietet gleichzeitig alle Vorteile der Oberseitenkühlung. Durch die Ergänzung des Q-DPAK-Gehäuses ist es nun möglich, eine vollständig diskrete Lösung für die Oberseiten-Kühlung zu implementieren, die eine bessere thermische Leistung, eine Reduzierung und Vereinfachung der Systemkosten und eine kostengünstigere Montage ermöglicht.
Ermöglicht Stücklisteneinsparungen
Höchste Zuverlässigkeit
Ermöglicht höchste Effizienz und Leistungsdichte
Vereinfacht Montage und Kühlung
Flüssigkühlung bereit
Ermöglicht Designs ohne Lüfter oder Kühlkörper
Geringere Streuinduktivitäten
Bessere Gate-Kontrolle