Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 250 A 395 W, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-404
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF021N13NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
€ 7,21
(ohne MwSt.)
€ 8,65
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | € 7,21 |
| 10 - 99 | € 6,49 |
| 100 - 499 | € 5,98 |
| 500 - 999 | € 5,56 |
| 1000 + | € 4,98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-404
- Herst. Teile-Nr.:
- IPF021N13NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 250A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 135V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Serie | IPF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 250A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 135V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Serie IPF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz verbessert werden. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) bietet er eine hervorragende Schaltleistung. Das Gerät hat außerdem eine sehr niedrige Rückgewinnungsladung (Reverse Recovery Charge, Qrr), die einen effizienten Betrieb gewährleistet.
Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
Verwandte Links
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IPF Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB Typ N-Kanal 7-Pin PG-TO263-7
