Infineon IPF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 135 V / 250 A 395 W, 7-Pin PG-TO263-7

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RS Best.-Nr.:
349-404
Herst. Teile-Nr.:
IPF021N13NM6ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-Transistor

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

250A

Drain-Source-Spannung Vds max.

135V

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Serie

IPF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

395W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

160nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC61249-2-21, MSL1 J-STD-020, RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 120 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, wodurch Leitungsverluste reduziert und die Gesamteffizienz verbessert werden. Mit einem hervorragenden Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) bietet er eine hervorragende Schaltleistung. Das Gerät hat außerdem eine sehr niedrige Rückgewinnungsladung (Reverse Recovery Charge, Qrr), die einen effizienten Betrieb gewährleistet.

Optimiert für Motorantriebe und batteriebetriebene Anwendungen

Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020

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