Infineon HybridPACK Drive G2 Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 750 V Erweiterung / 620 A HybridPACK Drive G2
- RS Best.-Nr.:
- 349-030
- Herst. Teile-Nr.:
- FS01MR08A8MA2LBCHPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 620A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Gehäusegröße | HybridPACK Drive G2 | |
| Serie | HybridPACK Drive G2 | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 19 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 6.73V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Normen/Zulassungen | Lead-Free, RoHS, UL 94 V0 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 620A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Gehäusegröße HybridPACK Drive G2 | ||
Serie HybridPACK Drive G2 | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 19 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 6.73V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Normen/Zulassungen Lead-Free, RoHS, UL 94 V0 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon HybridPACK Drive G2 CoolSiC G2 Modul ist ein hochkompaktes B6-Brücken-Powermodul mit verbessertem Gehäuse, das für verschiedene Umrichter-Leistungsklassen optimiert ist. Das Powermodul implementiert die zweite Generation des CoolSiC Automotive MOSFET 750V, der für Anwendungen im elektrischen Antriebsstrang optimiert ist, von mittleren bis hohen Leistungsklassen im Automobilbereich bis hin zu gewerblichen Fahrzeugen, Baufahrzeugen und landwirtschaftlichen Fahrzeugen mit hoher Reichweite.
Kompakte Bauweise
Hohe Leistungsdichte
Direkt gekühlte PinFin-Grundplatte
Leistungsstarke Si3N4-Keramik
Richtlinien für die Montage von Leiterplatten und Kühlern
Integrierte Temperatur-Sensor-Diode
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