Infineon Typ N-Kanal, Schraubanschlussklemme MOSFET 2000 V Erweiterung / 155 A
- RS Best.-Nr.:
- 349-319
- Herst. Teile-Nr.:
- FF5MR20KM1HPHPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 155A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 2000V | |
| Montageart | Schraubanschlussklemme | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 6.15V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | 60068, IEC 60747, 60749 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 155A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 2000V | ||
Montageart Schraubanschlussklemme | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 6.15V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen 60068, IEC 60747, 60749 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- HU
Das Infineon 62 mm CoolSiC MOSFET Halbbrückenmodul 2000 V, 3,5 mΩ G1 bietet das bekannte 62mm Gehäusedesign mit M1H Chiptechnologie und vorappliziertem Wärmeleitmaterial.
Hohe Stromdichte
Geringe Schaltverluste
Hervorragende Gate-Oxid-Zuverlässigkeit
Robuste integrierte Body-Diode
Hohe Robustheit gegenüber kosmischer Strahlung
Hochgeschwindigkeits-Schaltmodul
Symmetrischer Modulaufbau
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