Infineon OptiMOSTM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 58 W, 8-Pin PG-TDSON-8-33
- RS Best.-Nr.:
- 349-016
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUCN04S7N030ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- 349-016
- Herst. Teile-Nr.:
- IAUCN04S7N030ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PG-TDSON-8-33 | |
| Serie | OptiMOSTM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.93mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 58W | |
| Durchlassspannung Vf | 800mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PG-TDSON-8-33 | ||
Serie OptiMOSTM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.93mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 58W | ||
Durchlassspannung Vf 800mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- MY
MOSFET der Serie Infineon IAU, 100 A maximaler durchgehender Ablassstrom, 40 V maximale Ablassquellenspannung – IAUCN04S7N030ATMA1
Merkmale und Vorteile
Anwendungen
Was sind die spezifischen Umwelttoleranzen für Betrieb und Lagerung?
Wie beeinflusst die Auslösecharakteristik die Leistung dieses Geräts?
Welchen elektrischen Normen entspricht dieser Überlastschalter?
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