Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 447 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 284-945
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 284-945
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 447A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-TTFN-9 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.86mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 447A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-TTFN-9 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.86mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET mit OptiMOS 5-Leistungstransistor ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, der für außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit in industriellen Anwendungen entwickelt wurde. Mit fortschrittlicher Halbleitertechnologie bietet diese Komponente ein überlegenes Wärmemanagement und einen niedrigen Einschaltwiderstand, womit sie sich ideal für Stromumwandlungslösungen eignet. Mit seiner hohen Lawinenenergieeinstufung und der strengen Validierung gemäß JEDEC-Standards können Sie sich darauf verlassen, dass dieses Produkt strenge Betriebsanforderungen erfüllt und gleichzeitig Sicherheit und Langlebigkeit aufrechterhält.
Optimierter Wärmewiderstand für die Kühlung
Qualifiziert für industrielle Zuverlässigkeit
Pb-freie Bleibeschichtung für Umweltfreundlichkeit
Geringe Gate-Ansteuerungsanforderungen vereinfachen Schaltungen
Robustes Design für hohe Ableitströme
100% lawinengeprüft und zuverlässig
Kompaktes Paket für einfache Integration
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal 9-Pin PG-TTFN-9