Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 447 A 333 W, 9-Pin PG-TTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 284-945
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,565 | € 7,13 |
| 20 - 198 | € 3,215 | € 6,43 |
| 200 - 998 | € 2,96 | € 5,92 |
| 1000 - 1998 | € 2,74 | € 5,48 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 284-945
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH88N06LM5CGATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 447A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-TTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.86mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 447A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-TTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.86mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET mit OptiMOS 5-Leistungstransistor ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET, der für außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit in industriellen Anwendungen entwickelt wurde. Mit fortschrittlicher Halbleitertechnologie bietet diese Komponente ein überlegenes Wärmemanagement und einen niedrigen Einschaltwiderstand, womit sie sich ideal für Stromumwandlungslösungen eignet. Mit seiner hohen Lawinenenergieeinstufung und der strengen Validierung gemäß JEDEC-Standards können Sie sich darauf verlassen, dass dieses Produkt strenge Betriebsanforderungen erfüllt und gleichzeitig Sicherheit und Langlebigkeit aufrechterhält.
Optimierter Wärmewiderstand für die Kühlung
Qualifiziert für industrielle Zuverlässigkeit
Pb-freie Bleibeschichtung für Umweltfreundlichkeit
Geringe Gate-Ansteuerungsanforderungen vereinfachen Schaltungen
Robustes Design für hohe Ableitströme
100% lawinengeprüft und zuverlässig
Kompaktes Paket für einfache Integration
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